以电气方式连接多晶粒的封装技术
安靠积极，有策略地推进芯片内建芯片（COC）的研究和开发.CoC（DSBGA / DSMBGA）的设计无需硅通孔（TSV）而以电气方式连接多晶片。小于100微米的面对面小间距倒装芯片互连实现了电气互连。母晶片通过倒装芯片凸块或焊线与封装相连，一般以粗间距与封装匹配。两个（或更多）晶片能以更快的速度更高效地传输，采用更高频率带宽，并减小电阻（R），电感（L）和电容电阻，而成本比TSV更低。
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