SWIFT的特色包括：
- 聚合物基电介质
- 多晶粒和大晶粒封装
- 大体积封装
- 互连密度缩小至2微米节距（SOC划分应用的关键）
- 铜柱晶片互连缩小至30微米间距
- 3D /层叠封装功能采用穿塑通孔（TMV®）或高铜柱
- 符合JEDEC MSL3 CLR和BLR的要求
关键封装技术让此类独特的SWIFT功能成为可能。通过步进式成像设备实现2/2微米间距，以及SoC的划分和网络应用中的极高密度晶片连接，此类芯片通常会采用2.5D TSV。小间距晶片微凸块为先进产品提供高密度互连，例如，处理器和基带设备等。除此以外，高铜柱实现高密度垂直接口，以便于在SWIFT结构顶部贴装先进的储存器设备。
