在TSV和传统的WLFO/FOWLP之间架起桥梁

我们的屡获殊荣的硅片集成扇出技术(SWIFT)®/HDFO)技术旨在为单模和多模应用提供在更少的占地面积和剖面内增加I/O和电路密度。

斯威夫特®该技术能够创建先进的3D结构,解决新兴移动和网络应用中对集成电路集成的需求。SWIFT的鲜明特点®部分是由于与这种创新晶圆级封装技术相关的优良特性能力。这允许咄咄逼人设计规则要应用,要与传统相比WLFO和laminate-based总成。

独特的迅速®功能包括:

  • 聚合物电介质
  • 多模和大模能力
  • 大车身包装能力
  • 互连密度可降至2/2 μm
  • 铜柱模具互连可达30 μm间距
  • 3 d /Package-on-Package能力利用通过模具通过(TMV®)或高大的铜柱
  • 满足JEDEC MSL2a和MSL3 CLR和BLR要求

SWIFT支持的技术®包装:

关键的组装技术可以创建这些独特的SWIFT®特性。使用步进照片成像设备,可以实现2/2 μm线/空间功能,实现SoC分区和网络应用所需的高密度模对模连接2.5 d TSV通常会被使用。细间距模具微凸为高级产品提供高密度互连,如应用处理器和基带设备。此外,高大的铜柱提供了一个高密度的垂直接口,用于在SWIFT顶部安装高级存储设备®结构。

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