独特的SWIFT功能包括：
- 基于聚合物的电介质
- 多模和大型模具能力
- 大包体的能力
- 互连密度下降到2微米线/间隙（临界进行SoC分区应用）
- 铜柱芯互连至30μm间距
- 3D /封装上封装利用通过模具孔（TMV能力®）或妥尔铜柱
- 符合JEDEC MSL3 CLR和BLR要求
关键总成技术使这些鲜明的特点SWIFT创建。采用步进照片成像设备，2/2微米线/空间特征可以实现的，从而实现非常高密度的管芯到管芯进行SoC分区所需的连接和网络应用，其中2.5D TSV通常被使用。细间距模具微凸块为先进的产品，如应用处理器和基带设备提供一种高密度互连。此外，高铜柱启用对SWIFT结构的顶部安装高级存储器件的高密度垂直接口。
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