桥TSV和传统WLFO / FOWLP之间的差距

我们屡获殊荣的硅片集成扇出技术(SWIFT®/ HDFO)技术旨在减少的尺寸和轮廓为单和多芯片应用中,以提供增加的I / O和电路密度。

SWIFT的鲜明特征是,部分原因,与此创新晶片级封装技术相关联的细微特征的能力。这使得激进设计规则要被施加,相对于传统WLFO和层压基于组件。此外,SWIFT使得能够解决在新兴的移动和网络应用增加IC集成的需要先进的3D结构的创建。

独特的SWIFT功能包括:

  • 基于聚合物的电介质
  • 多模和大型模具能力
  • 大包体的能力
  • 互连密度下降到2微米线/间隙(临界进行SoC分区应用)
  • 铜柱芯互连至30μm间距
  • 3D /封装上封装利用通过模具孔(TMV能力®)或妥尔铜柱
  • 符合JEDEC MSL3 CLR和BLR要求

关键总成技术使这些鲜明的特点SWIFT创建。采用步进照片成像设备,2/2微米线/空间特征可以实现的,从而实现非常高密度的管芯到管芯进行SoC分区所需的连接和网络应用,其中2.5D TSV通常被使用。细间距模具微凸块为先进的产品,如应用处理器和基带设备提供一种高密度互连。此外,高铜柱启用对SWIFT结构的顶部安装高级存储器件的高密度垂直接口。

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