TSV와WLFO / FOWLP간의차이연결

당사의硅片集成扇出技术(斯威夫特®/ HDFO)기술은더적은공간을차지하며I / O와회로집적도를높여한개혹은그이상의칩을사용하는어플리케이션에적합한,업계수상이력이있는기술입니다。

斯威夫特의특징은혁신적인晶圆级패키징기술과관련된능력에기인합니다。이것은전통적인WLFO와层压板기반어셈블리와비교하면,진취적인설계규칙을적용할수있습니다。또한,斯威夫特는새로운모바일과네트워크애플리케이션에서요구하는더많은IC집적도구현을위한진보된적층구조형성이가능합니다。

斯威夫特만의고유한특징은다음과같습니다。

  • 고분자기반유전체
  • Multi-die和大型模具가능
  • 大的包主体가능
  • 최소2μm간격의인터커넥트집적도(SoC分区的关键应用程序)
  • 최소30μm간격의铜柱死인터커넥트
  • 模具通过(TMV®)또는高铜柱子를활용하는3 d /Package-on-Package기능
  • 电平MSL3 CLR및BLR요구사항충족

주요어셈블리기술들은이러迅速한의고유한특징을만들수있습니다。步进포토이미징장비를사용하여,2μm선폭을구현할수있으며,2.5 d TSV가일반적으로사용되는SoC파티셔닝및네트워킹애플리케이션에서필요한초고집적도를가지는死간연결을구현할수도있습니다。小模数模微凹凸는应用处理器(美联社)와基带디바이스과같은고급제품을위한고집적인터커넥트를제공합니다。또한,高铜柱撞는迅速구조의상단에메모리디바이스를장착하기위한高密度垂直界面를가능하게합니다。

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