桥TSV和传统WLFO / FOWLP之间的差距

当社の硅片集成扇出技术(SWIFT®/ HDFO)は,シングルおよびマルチチップのパッケージにおいてフットプリントとプロファイルを低减しながら,I / Oと回路密度の向上を実现します。

SWIFTの特徴は,革新的なウェハレベルパッケージング技术によりもたらされます。これは従来のWLFOやラミネートベースの组立と比较してよりアグレッシブなデザインルールの适用を可能にします。さらに,SWIFTは最新のモバイルおよびネットワーキングアプリケーションでのICインテグレーションの増加に対応する高度な三维构造を可能にします。

独特的SWIFT功能包括:

  • ポリマーベース绝縁层
  • マルチチップ,大型チップ対応
  • 大型パッケージボディ対応
  • 接続密度为2μmライン/スペースまで可能(SOCパーテショニングアプリケーションに贡献)
  • 铜ピラーチップ接続:30微米ピッチ対応
  • スルーモールドビア(TMV®)または高さのある铜ピラーを利用した3D /パッケージ·オン·パッケージ対応
  • JEDEC MSL3 CLR / BLRに适合

主要な组立技术により,この特色あるSWIFTパッケージの制造が可能となります。ステッパー装置を使用することで,2分之2微米ライン/スペースが実现でき,通常2.5DのTSVが使用される的SoCパーティショニングおよびネットワーク机器に求められる高密度のチップ间接続が可能になります。ファインピッチチップのマイクロバンプは,アプリケーションプロセッサやベースバンド机器などの先端制品向けに高密度接続を提供します。さらに,高さのある铜ピラーが,SWIFTの最上部に高度なメモリを実装するための高密度积层インターフェイスを可能にします。

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