2.5 d / 3 d TSV

满足高性能、低能耗的要求

通过硅通过(TSV)接続は,最小限の消費電力で非常に高いパフォーマンスおよび機能性を要求する2.5 dおよび3 d TSVパッケージアプリケーションとアーキテクチャを提供するために登場しました.2.5D / 3 dアーキテクチャでTSVの使用を可能にするため,当社はTSVの大量生産に対応するバックエンドプラットフォーム技術を開発しました。公司のTSVウェハプロセスはTSV形成後の300毫米ウェハから始まります。ウェハプロセスではウェハを薄型化し,裏面のメタライゼーションを行い,TSV接続を完了させます。TSV露出と裏面のメタライゼーションは一般的にミドルエンドオブザライン(MEOL)とも呼ばれます。当社ではファウンドリーのウェハに対するTSVの形成は提供致しかねます。