艾克尔のインターポーザー·パッケージ·オン·パッケージ(インターポーザーPoP)的は,非导电ペースト(TCNCP)による热圧着またはキャピラリアンダーフィル(CUF)による质谱回流のいずれかを使用してファインピッチ·フリップチップ接続に対応します。上部インターポーザーへの接続は铜コアボール(CCB)による热圧着ボンディングにより実施されます。下部基板とインターポーザー间のCCB接続によりインターポーザーに搭载されたデバイスへの高速かつ高密度のアクセスが可能になります。このパッケージは,2つの基板の间にダイをカプセル化するエポキシモールドコンパウンドを使用することでパッケージの反りを低减し,高信頼性を実现します。上部インターポーザーは制限の多いスルーモールドビア(TMV®)と比较して搭载するパッケージの柔软性を高め,様々なタイプのデバイス(パッケージされたメモリ,パッシブ,ダイなど)と组み合わせることが可能です。

下部基板からインターポーザーへの狭ピッチ接続により,高密度かつ多数のI / Oインターコネクトが可能になります。インターポーザー的PoPプロセスによってTMVプロセスよりも微细なピッチのインターコネクトを使用することで,パッケージ本体のサイズを大きくすることなくチップサイズを大きくすることが可能です.Amkorは,7纳米までの最先端シリコンノードのインターポーザー的PoPの量产実绩があり,また现在为7nm未満ノードのプロジェクトを进めています.Amkorは広范囲のお客様に确かな性能を备えた制品を今日まで数百万ユニット以上制造してきました。

特徴

  • ボディサイズ:10〜16毫米,ご要望に応じてカスタムボディサイズ対応可
  • 上部のパッケージI / Oインターフェイスは様々なデバイス(チップ,パッシブなど)と接続可能
  • ウェハグラインド/ハンドリング:<100μm的対応
  • 高パフォーマンスと信頼性を备えた実绩のあるパッケージ·オン·パッケージ(POP)プラットフォーム
  • 量产向けのパッケージングテクノロジーを确立
  • スタックパッケージの高さは様々な构成で0.55毫米〜をラインアップしています。
  • 上部と下部基板间のダイレクトかつ高密度な电気的接続により低レイテンシーおよび高速な处理が可能になります

  • パッケージ反りの低さは上下2つの基板の间にチップを封止するEMCにより実现します
  • 上部インターポーザーは制限の多いTMV接続と比较して上部に搭载されるパッケージの柔软性を高めます
  • インターポーザー的PoPのパッケージ设计により,上部インターポーザーは様々なデバイス(パッケージされたメモリ,パッシブ,チップなど)と组み合わせることが可能です
  • 高密度かつ多数のI / Oインターコネクトは微细なCCB接続と上部インターポーザーのファンアウト配线により可能になっています

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